Объединенный институт ядерных исследований
26.04.2019

Николай Атанов "ФЭУ с AlGaN фотокатодом и МКП для сцинтилляционных детекторов на основе кристаллов BaF_2"

Для создания физических установок на основе сцинтилляционных  детекторов перспективным считается применение кристаллов BaF2. Внимание экспериментаторов привлекают их высокая радиационная стойкость, короткое время высвечивания быстрой компоненты (менее 1 ns) в спектральном диапазоне 190-250 нм, что может позволить создавать детекторы с высоким временным разрешением и малым "мертвым" временем. Однако высокий уровень медленной компоненты требует специальных решений для ее подавления, одним из которых является использование водоприемников солнечно-слепого диапазона.

В работе, представленной на семинаре, описан фотоумножитель с микроканальными пластинами использующий фотокатод на основе гетероструктуры из AlGaN с высокой долей алюминия. Рассмотрены результаты измерения, которые показывают возможность его применения для регистрации быстрой компоненты излучения кристаллов BaF2 и эффективного подавления медленной компоненты.